Завод биполярных IGBT-транзисторов
Что такое IGBT-транзистор?
Интегрированный транзистор с изолированным затвором (IGBT) - это тип силового полупроводникового прибора, который сочетает в себе характеристики биполярного транзистора (BJT) и полевого транзистора с изолированным затвором (MOSFET). Благодаря этой комбинации IGBT-транзисторы обладают высокой скоростью переключения и низкими потерями мощности, что делает их идеальными для использования в высокопроизводительных электронных устройствах.
Как производится IGBT-транзистор?
Завод по производству IGBT-транзисторов - это высокотехнологичное учреждение, где используется сложный процесс для создания этих мощных электронных устройств. Производственный процесс включает в себя несколько этапов:
Рост кристалла: Монокристалл кремния выращивается из расплавленного кремния с использованием метода Чохральского.
Диффузия и ионная имплантация: В кристалл внедряются примеси, чтобы создать различные области полупроводника, такие как эмиттер, база и коллектор.
Травление и металлизацию: Нежелательные части кристалла удаляются травлением, и на его поверхность наносятся металлические контакты.
Герметизация: Чип IGBT-транзистора инкапсулируется в защитный корпус для предотвращения повреждения.
Применение IGBT-транзисторов
IGBT-транзисторы используются в широком спектре высокотехнологичных приложений, включая:
Инверторы переменного тока
Приводы электродвигателей
Источники бесперебойного питания
Фотогальванические инверторы
Управление электротранспортом