силовой транзистор igbt

Силовой транзистор IGBT: особенности и применение

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это силовой транзистор, который сочетает в себе биполярный и полевой транзисторы. Он используется в различных электронных устройствах и системах, требующих высокой мощности и быстродействия.

Особенности IGBT:

1. Высокое входное сопротивление и большая токовая нагрузка.
2. Малое сопротивление во включённом состоянии.
3. Быстродействие: время рассасывания накопленного заряда составляет 0,2–0,4 мкс, а время спадания тока при выключении — 0,2–1,5 мкс.
4. Надёжная работа в диапазоне частот от 10 до 20 кГц.
5. Отсутствие необходимости в дополнительных цепях формирования траектории переключения.

Применение IGBT:

1. Ключевые источники питания с напряжением до 3500 В.
2. Источники питания для инверторов мощностью от 2 до 200 кВт.
3. Преобразователи индукционного нагрева, сварочные аппараты, источники бесперебойного питания.
4. Тяговые приводы для железнодорожного транспорта.

В России производство силовых IGBT-модулей освоено рядом предприятий электронной промышленности, таких как АО «Электровыпрямитель», НПК «ИСЭ» и другие.