транзисторный модуль igbt

Транзисторный модуль IGBT: принцип работы и применение

Транзисторный модуль IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) — это трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, который сочетает в себе биполярный и полевой транзисторы. Он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическими приводами.

История создания IGBT началась в 1980-х годах, когда компания International Rectifier разработала первый промышленный образец этого прибора. Современные поколения IGBT лишены недостатков, таких как медленное переключение, низкая надёжность и переход в тиристорный режим.

Достоинства IGBT:

• сочетание достоинств биполярных и полевых транзисторов;
• малое остаточное напряжение во включённом состоянии;
• низкие потери в открытом состоянии при больших токах и напряжениях;
• характеристики переключения и проводимости биполярного транзистора;
• управление как у MOSFET — напряжением.

Применение IGBT:

• инверторы;
• импульсные регуляторы тока;
• частотно-регулируемые приводы;
• источники сварочного тока;
• управление мощным электроприводом;
• электрический транспорт.

Таким образом, транзисторный модуль IGBT является эффективным и надёжным решением для различных областей применения, где требуется управление мощными силовыми потоками.