Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) – это полупроводниковые приборы, которые объединяют преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором (MOSFET). IGBT отличаются высокой скоростью переключения, низким энергопотреблением и способностью работать с высокими токами.
Конструкция
IGBT состоят из четырех слоев полупроводникового материала, образующих структуру n-p-n-p. Затвор, изготовленный из изолирующего материала, отделяет управляющий электрод от полупроводникового канала.
Принцип работы
IGBT работают подобно полевым транзисторам с изолированным затвором. При подаче положительного напряжения на затвор он создает электрическое поле, которое притягивает электроны из n-слоя в p-слой, образуя проводящий канал. Этот канал позволяет току протекать между коллектором и эмиттером. В выключенном состоянии затвор имеет нулевой потенциал, и канал закрывается, блокируя ток.
Преимущества
Высокая скорость переключения
Низкое энергопотребление
Высокая допустимая мощность
Высокая надежность
IGBT широко используются в различных электронных устройствах, таких как:
Силовые преобразователи
Инверторы
Устройства управления двигателем
Солнечные инверторы