Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Производители
IGBT производятся многими компаниями по всему миру, в том числе:
Infineon Technologies
Mitsubishi Electric
Rohm Semiconductor
Toshiba
Fairchild Semiconductor
Структура и принцип работы
IGBT — это полупроводниковые приборы, которые сочетают в себе характеристики биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Их структура включает в себя четыре слоя полупроводниковых материалов (n-p-n-p).
Принцип работы IGBT основан на использовании изолированного затвора. Этот затвор не имеет прямого соединения с основным каналом, что позволяет управлять током в транзисторе с помощью небольшого напряжения.
Преимущества и недостатки
Преимущества:
Высокая коммутационная частота
Низкие потери при включении и выключении
Простота управления
Недостатки:
Меньший коэффициент усиления по току, чем у биполярных транзисторов
Более низкое напряжение пробоя, чем у полевых транзисторов
IGBT широко используются в различных областях электроники, включая:
Инверторы для электроприводов
Блоки питания
Источники бесперебойного питания