Управление IGBT-транзистором
IGBT-транзистор, или биполярный транзистор с изолированным затвором, является ключевой деталью в силовой электронике. Он сочетает в себе преимущества биполярных и полевых транзисторов, обеспечивая высокую мощность при относительно низком напряжении управления затвором.
Включение транзистора
Включение IGBT-транзистора осуществляется подачей положительного напряжения на затвор. Когда напряжение на затворе превышает пороговое значение, транзистор открывается, позволяя току течь между его коллектором и эмиттером.
Блокировка транзистора
Чтобы заблокировать IGBT-транзистор, на его затвор подается отрицательное напряжение. В этом случае затворный диод становится прямым, и ток течет между коллектором и затвором. При достижении определенного значения отрицательного напряжения транзистор надежно блокируется.
Защита транзистора
Для защиты IGBT-транзистора от перенапряжений и перегрузок по току используются дополнительные схемы. Например, шунтирующий резистор или диод установленный параллельно с транзистором, может предотвратить его повреждение от короткого замыкания. Схемы диагностики и защиты также помогают предотвратить неисправности транзистора, выключая его в случае возникновения проблем.