| Номер модели | DFI50FB12P3D1 |
| Тип | IGBT модуль |
| Упаковка | EPM3 IGBT |
| Топология цепи | Полумост |
| Выдерживаемое напряжение (В) | 1200 |
| Ток (A) | 50 |
| RDS(on) (mΩ) | -- |
| Tjmax (℃) | 175 |
Низкое напряжение насыщения VCE(sat)
Низкие коммутационные потери
Tjmax=175°C
высокая надёжность
