| Номер модели | DFS04FB12HDB1/L |
| Тип | SiC модуль |
| Упаковка | HPD SIC |
| Топология цепи | 3-фазная |
| Выдерживаемое напряжение (В) | 1200 |
| Ток (A) | 400 |
| RDS(on) (mΩ) | 3.4 |
| Tjmax (℃) | 175 |
Tjmax=175°C
Технология ArcbondingTm
Si3N4 AMB
Эпоксидная смола с высокой теплопроводностью
Технология спекания серебра
