IGBT-заводы Mitsubishi: революционные инновации в области силовой электроники
Описание инновационных технологий IGBT
IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) - это полупроводниковый прибор, который объединяет характеристики биполярного транзистора (BJT) и полевого транзистора с изолированным затвором (MOSFET). Благодаря этой уникальной комбинации IGBT обладают высокой эффективностью, низкими потерями на переключение и высокой плотностью тока.
Мировое присутствие заводов Mitsubishi IGBT
Mitsubishi Electric, ведущий производитель силовых полупроводников, имеет несколько заводов IGBT, расположенных по всему миру. Основными центрами производства являются Япония, Таиланд, США и Малайзия. Эти заводы используют самые современные технологии и строгие стандарты контроля качества для обеспечения производства IGBT высочайшего качества.
Экологическая устойчивость и социальная ответственность
Mitsubishi Electric привержена принципам экологической устойчивости и социальной ответственности. Заводы IGBT спроектированы с использованием энергоэффективного оборудования и возобновляемых источников энергии. Кроме того, компания уделяет особое внимание обучению и развитию местного персонала, создавая возможности для экономического роста в сообществах, где находятся заводы.